三氟化氮

　  三氟化氮 （NF3）在半導體及TFT-LCD製造的薄膜製程中扮演「清潔劑」的角色，不過這類清潔劑是氣態，而非液態。

　  薄膜製程的主要設備是「化學氣相沉積」（ＣＶＤ）機台，常常可在電視上看到機器手臂托著一片晶圓送進反應室（Chamber）的鏡頭，就是ＣＶＤ操作的狀態。ＣＶＤ會在晶圓片上長出薄膜，薄膜的成份有可能是矽、二氧化矽或其他金屬材料，但這些材料不僅會附著在晶片上，也附著在反應室內的「牆壁」上，內牆上的二氧化矽累積至相當數量，就會在反應室內形成微塵粒子（Particle），影響晶圓片的良率。因此每台ＣＶＤ機台在處理過規定數量的晶圓片後，就要使用含氟的氣體清洗，以去除內壁上的矽化物質。

　  以往半導體廠多半採用四氟化碳（CF4）、C 2F6、C3F8等以氟及碳結合的氣體清潔ＣＶＤ，讓氟離子「吃掉」矽，變成氟矽烷氣體排出，但是其清潔效果卻不如NF3，內壁上容易殘留形成高分子物質，故NF3相對而言清潔效果高出很多。

　  一九九七年全球各國為降低臭氧層破壞所簽定的「京都議定書」，造就了NF3氣體的出頭天。因為NF3與CF4、C2F6等氣體都屬於多氟碳化物，這類物質排放是造成溫室效應的來源之一，而半導體工業又必需用到此類氣體，故一九九九年ＷＳＣ（全球半導體會議）參加國美、歐、日、韓及我國就簽署協議，約定在二○一 ○年之前，要將多氟碳化物的用量減少一○％。

　  半導體廠為了降低排氣對溫室效應的影響，在排放含氟廢氣前，會以高溫將氣體由有機轉分解為無機，無機氣體排入大氣才不會破壞臭氧層。這道高溫的手續若要分解CF系列的氣體，必需達到攝氏一千二百度高溫，但是要分解 NF氣體，只要攝氏七、八百度即足夠。對晶圓廠而言，處理NF氣體的成本比處理CF要節省許多，故許多製程設備大廠近二年推出的ＣＶＤ設備，都改採NF3為主要清潔氣體。而執全球ＣＶＤ設備之牛耳的廠商，也順道吃下TFT-LCD廠的市場大餅，因此TFT-LCD廠使用的ＣＶＤ設備，同樣以CF3來清潔反應室內壁。